对比图
型号 NVB5860NLT4G NVB5860NT4G FDB024N06
描述 N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorN 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB024N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.5 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
漏源极电阻 - 3 mΩ 0.0018 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 283 W 283W (Tc) 395 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - 60 V -
连续漏极电流(Ids) 220A 220A 265A
上升时间 58 ns 117 ns -
输入电容(Ciss) 13216pF @25V(Vds) 10760pF @25V(Vds) 14885pF @25V(Vds)
下降时间 144 ns 150 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 283W (Tc) 283W (Tc) 395W (Tc)
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 3.5 V
额定功率(Max) - - 395 W
通道数 1 - -
长度 10.29 mm 10.29 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15