MMBT5551LT1G和SMMBT5551LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT5551LT1G SMMBT5551LT3G 2N5551RLRAG

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT5551LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 HV XSTR SPCL TRON SEMICONDUCTOR  2N5551RLRAG  双极性晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 300 mW 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 160 V 160 V 160 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 250 250 -

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 625 mW

额定电压(DC) 160 V - 160 V

额定电流 600 mA - 600 mA

额定功率 0.225 W - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 80 - -

频率 - - 300 MHz

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3

长度 2.9 mm - 5.2 mm

宽度 1.3 mm - 4.19 mm

高度 0.94 mm - 5.33 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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