BSC152N10NSFG和BSC152N10NSFGATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC152N10NSFG BSC152N10NSFGATMA1 BSC160N10NS3GATMA1

描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-TransistorTDSON N-CH 100V 9.4AINFINEON  BSC160N10NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.0139 ohm, 10 V, 2.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerTDFN-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 114 W 114W (Tc) 60 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 9.4A 8.8A

上升时间 - 24 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @50V(Vds) 1900pF @50V(Vds) 1300pF @50V(Vds)

下降时间 - 6 ns 5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 114W (Tc) 60W (Tc)

额定功率(Max) 114 W - -

额定功率 - - 60 W

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.0139 Ω

阈值电压 - - 2.7 V

输入电容 - - 1300 pF

封装 PowerTDFN-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

长度 - - 5.35 mm

宽度 - - 6.35 mm

高度 - - 1.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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