IPD250N06N3GBTMA1和IPD350N06LGBTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD250N06N3GBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 IPD800N06NGBTMA1

描述 DPAK N-CH 60V 28AINFINEON  IPD350N06LGBTMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 60 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.6 V 新DPAK N-CH 60V 16A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 36W (Tc) 68 W 47000 mW

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 28A 29A 16A

输入电容(Ciss) 1200pF @30V(Vds) 600pF @30V(Vds) 370pF @30V(Vds)

耗散功率(Max) 36W (Tc) 68W (Tc) 47W (Tc)

上升时间 - 21 ns 38 ns

额定功率(Max) - - 47 W

下降时间 - 20 ns 27 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 71 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.027 Ω -

阈值电压 - 1.6 V -

输入电容 - 600 pF -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.41 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台