对比图
型号 BUK662R5-30C,118 FDB8860 STD155N3LH6
描述 D2PAK N-CH 30V 100AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8860 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 30 V, 1.6 mohm, 10 V, 1.7 VN 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 1.6 mΩ 3 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 204 W 254 W 110 W
输入电容 - - 3800 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V
上升时间 59 ns 213 ns 85 ns
输入电容(Ciss) 6960pF @25V(Vds) 12585pF @15V(Vds) 3800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 204 W 254 W 110 W
下降时间 113 ns 49 ns 40 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 204W (Tc) 254 W 110W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 1.7 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 100A 31.0 A -
长度 - 10.67 mm 6.6 mm
宽度 - 11.33 mm 6.2 mm
高度 - 4.83 mm 2.4 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -