ZXM61N02F和ZXM61N02FTC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZXM61N02F ZXM61N02FTC BSH105,215

描述 DIODES INC.  ZXM61N02F  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 180 mohm, 4.5 V, 700 mVTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3Pin SOT-23 T/RNXP  BSH105,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.05 A, 20 V, 0.14 ohm, 4.5 V, 570 mV

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.18 Ω 240 mΩ 0.14 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 625 mW 0.806 W 417 mW

阈值电压 700 mV - 570 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 1.70 A 1.70 A 1.05 A

上升时间 - 4.2 ns 4.5 ns

输入电容(Ciss) - 160pF @15V(Vds) 152pF @16V(Vds)

额定功率(Max) - 625 mW 417 mW

下降时间 - 4.2 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 417mW (Ta)

额定电压(DC) - 20.0 V -

额定电流 - 1.70 A -

输入电容 - 160 pF -

漏源击穿电压 - 20.0 V -

栅源击穿电压 - ±12.0 V -

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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