对比图
型号 VNB35NV0413TR VNB35NV04TR-E VNB35NV04
描述 MOSFET POWER 40V 30A D2PAKMOSFET“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 开关电源FET驱动器模拟开关芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
输出接口数 1 1 1
输出电流 - 60 A 30 A
供电电流 - 0.1 mA 0.1 mA
针脚数 - 3 -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 125 W 125 W
漏源击穿电压 70.0 V 70.0 V 70.0 V
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 35.0 A 35.0 A
上升时间 - 100 µs -
输出电流(Max) 30 A 30 A 30 A
输出电流(Min) - 30 A 30 A
输入数 - 1 -
下降时间 - 110 µs -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 40 ℃ 40 ℃
耗散功率(Max) - 125000 mW 125000 mW
额定电压(DC) - - 40.0 V
额定电流 - - 30.0 A
漏源极电阻 10.0 mΩ - 10.0 mΩ
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99