对比图
型号 FQP90N10V2 STP55NF06 STP80NF10
描述 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 60.0 V 100 V
额定电流 90.0 A 50.0 A 80.0 A
额定功率 - 110 W 300 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 10.0 mΩ 0.015 Ω 0.012 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 250 W 30 W 300 W
阈值电压 - 3 V 3 V
输入电容 - - 5500 pF
漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 60.0 V 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 90.0 A 50.0 A 80.0 A
上升时间 - 50 ns 80 ns
输入电容(Ciss) 6150pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W 300 W
下降时间 - 15 ns 60 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250W (Tc) 110W (Tc) 300W (Tc)
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Rail Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99