对比图
型号 IPD65R380C6 STD12N65M5 IPD65R380E6
描述 INFINEON IPD65R380C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V650V的CoolMOS E6功率晶体管 650V CoolMOS E6 Power Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.34 Ω 0.39 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 83 W 70 W 83 W
阈值电压 3 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 700 V
连续漏极电流(Ids) 10.6A - 10.6A
上升时间 12 ns 17.6 ns 7 ns
下降时间 11 ns 23.4 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
输入电容(Ciss) - 900pF @100V(Vds) 710pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 70 W 83 W
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 70W (Tc) 83000 mW
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 650 V -
长度 6.5 mm 6.6 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.4 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -