对比图
型号 FQD2N80TF STD3NK80Z-1 FQD2N80TM
描述 Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS STD3NK80Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.25 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 4.9 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3
额定电压(DC) 800 V - 800 V
额定电流 1.80 A - 1.80 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 6.30 Ω 3.8 Ω 4.9 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 70 W 2.5 W
阈值电压 - 3.75 V 5 V
输入电容 - - 425 pF
栅电荷 - - 12.0 nC
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V - 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 1.80 A 1.25 A 1.80 mA
上升时间 30 ns 27 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) 485pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 70 W 2.5 W
下降时间 28 ns 40 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 70W (Tc) 2.5 W
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 2.4 mm 6.1 mm
高度 2.39 mm 6.2 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99