对比图
型号 BSS123LT1 BSS123LT1G BSS123TA
描述 小信号N沟道SOT23封装场效应管N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorDIODES INC. BSS123TA 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.2 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 170 mA 170 mA 170 mA
额定功率 - 0.225 W -
无卤素状态 - Halogen Free -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 6.00 Ω 6 Ω 6 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 225 mW 225 mW 300 mW
阈值电压 - 800 mV 2.2 V
输入电容 20.0 pF 20pF @25V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 170 mA 170 mA 170 mA
正向电压(Max) - 1.3 V 1.3 V
输入电容(Ciss) 20pF @25V(Vds) 20pF @25V(Vds) 20pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 360 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 225mW (Ta) 225mW (Ta) 360mW (Ta)
上升时间 - - 8 ns
下降时间 - - 16 ns
长度 2.9 mm 2.9 mm -
宽度 1.3 mm 1.3 mm -
高度 0.94 mm 0.94 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17
军工级 - - Yes
ECCN代码 EAR99 EAR99 -