PD54008L-E和PD54008S-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD54008L-E PD54008S-E PD54008-E

描述 RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF power transistors The LdmoST Plastic familyRF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETsRF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 3 3

封装 5X5-8 PowerSO-10RF PowerSO-10

频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz

额定电压(DC) 3.10 V - 25.0 V

额定电流 5 A - 5 A

极性 N-Channel - -

耗散功率 26.7 W 73000 mW 73000 mW

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25.0 V

漏源击穿电压 25.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 5.00 A - 5.00 A

输出功率 8 W 8 W 8 W

增益 15 dB 11.5 dB 11.5 dB

测试电流 200 mA 150 mA 150 mA

输入电容(Ciss) 80pF @7.5V(Vds) 91pF @7.5V(Vds) 91pF @7.5V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 26700 mW 73000 mW 73000 mW

额定电压 25 V 25 V 25 V

封装 5X5-8 PowerSO-10RF PowerSO-10

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台