对比图
型号 IPB120N06S4-H1 IPB45N06S4L-08 IPB60R380C6
描述 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorINFINEON IPB60R380C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - - 2
通道数 1 1 1
漏源极电阻 - 7.9 mΩ 0.34 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 - 71 W 83 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 600 V
漏源击穿电压 - 60 V -
连续漏极电流(Ids) 120A 45A 10.6A
上升时间 - 2 ns 10 ns
下降时间 - 8 ns 9 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
阈值电压 4 V - 3 V
针脚数 - - 2
输入电容(Ciss) - - 700pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - - 83 W
耗散功率(Max) - - 83W (Tc)
长度 - 10 mm 10.31 mm
宽度 - 9.25 mm 9.45 mm
高度 - 4.4 mm 4.57 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -