FQP7N80和SPA04N80C3

对比图

型号 FQP7N80 SPA04N80C3 STP8NK80Z

描述 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETINFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V

额定电流 6.60 A 4.00 A 6.20 A

漏源极电阻 1.50 Ω 1.1 Ω 1.50 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 167 W 38 W 140 W

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V - 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.60 A 4.00 A 6.20 A

输入电容(Ciss) 1850pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds) 1320pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 167 W 38 W 140 W

耗散功率(Max) 167W (Tc) 38W (Tc) 140W (Tc)

上升时间 - 15 ns 30 ns

下降时间 - 12 ns 28 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 38 W -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3 V -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.65 mm 10.4 mm

宽度 - 4.85 mm 4.6 mm

高度 - 16.15 mm 15.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -