对比图
型号 MJD45H11G MJD45H11T4 MJD45H11TF
描述 ON SEMICONDUCTOR MJD45H11G 单晶体管 双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFESTMICROELECTRONICS MJD45H11T4 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 20 W, -8 A, 40 hFEPower PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
频率 90 MHz - 40 MHz
额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V
额定电流 -8.00 A -8.00 A -8.00 A
无卤素状态 Halogen Free - -
针脚数 3 3 3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 20 W 20 W 20 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
热阻 6.25℃/W (RθJC) - -
集电极最大允许电流 8A - 8A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V
额定功率(Max) 1.75 W 20 W 1.75 W
直流电流增益(hFE) 60 40 60
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -
耗散功率(Max) 1750 mW 20000 mW 20 W
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.1 mm
高度 2.38 mm 2.4 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99