对比图
型号 FQP8P10 STP5NK100Z STD15NF10T4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8P10. 晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -100 V, 410 mohm, -10 V, -4 VSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
额定电压(DC) -100 V 1.00 kV 100 V
额定电流 -8.00 A 3.50 A 23.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.41 Ω 3.7 Ω 0.065 Ω
极性 P-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 65 W 125 W 70 W
阈值电压 - 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 1 kV 100 V
漏源击穿电压 - 1.00 kV 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A 3.50 A 23.0 A
上升时间 110 ns 7.7 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 470pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 65 W 125 W 70 W
下降时间 35 ns 19 ns 17 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 65W (Tc) 125W (Tc) 70W (Tc)
额定功率 - 125 W -
长度 10.67 mm 10.4 mm 6.6 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 6.2 mm
高度 16.3 mm 9.15 mm 2.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99