MMBF170LT3和MMBF170LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF170LT3 MMBF170LT3G MMBF170LT1G

描述 功率MOSFET 500毫安, 60 V的N沟道SOT- 23 Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-230.5A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFETON SEMICONDUCTOR  MMBF170LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

额定功率 - - 0.225 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 5.00 Ω 5 Ω 5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 225mW (Ta) 225 mW 225 mW

阈值电压 - - 3 V

输入电容 60.0 pF 60.0 pF 60 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60 V 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 500 mA 500 mA 500 mA

输入电容(Ciss) 60pF @10V(Vds) 60pF @10V(Vds) 60pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225mW (Ta) 225mW (Ta) 225mW (Ta)

通道数 - 1 -

长度 - 2.9 mm 3.04 mm

宽度 - 1.3 mm 1.3 mm

高度 - 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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