BSS192P L6327和BSS192,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS192P L6327 BSS192,115 BSS192PH6327FTSA1

描述 INFINEON  BSS192P L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 VP 通道 MOSFET,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP SemiconductorsINFINEON  BSS192PH6327FTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-89-3 SOT-89-3 SOT-89-3

额定电压(DC) -250 V - -

额定电流 -190 mA - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 7.7 Ω 12 Ω 7.7 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1 W 1 W 1 W

输入电容 104 pF - -

栅电荷 6.10 nC - -

漏源极电压(Vds) 250 V 240 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 190 mA -200 mA 0.19A

上升时间 5.2 ns - 5.2 ns

输入电容(Ciss) 104pF @25V(Vds) 90pF @25V(Vds) 104pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W

下降时间 50 ns - 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 560mW (Ta), 12.5W (Tc) 1W (Ta)

额定功率 - - 1 W

通道数 - - 1

阈值电压 - 2.8 V 1.5 V

封装 SOT-89-3 SOT-89-3 SOT-89-3

长度 - 4.6 mm 4.5 mm

宽度 - 2.6 mm 2.5 mm

高度 - 1.6 mm 1.5 mm

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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