对比图
型号 CSD19531KCS CSD19536KCS CSD19533Q5A
描述 TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19536KCS100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 8
封装 TO-220-3 TO-220-3 VSON-FET-8
针脚数 3 3 8
漏源极电阻 0.0064 Ω 0.0023 Ω 0.0078 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 179 W 375 W 3.2 W
阈值电压 2.7 V 2.5 V 2.8 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 100A 150A 100A
上升时间 7.2 ns 8 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 3870pF @50V(Vds) 12000pF @50V(Vds) 2670pF @50V(Vds)
下降时间 4.1 ns 5 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 214W (Tc) 375W (Tc) 3.2W (Ta), 96W (Tc)
通道数 - 1 -
额定功率(Max) 214 W 375 W -
封装 TO-220-3 TO-220-3 VSON-FET-8
长度 10.67 mm 10.67 mm -
宽度 4.7 mm 4.7 mm -
高度 16.51 mm 16.51 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 -