对比图
型号 FQP3N60 STP55NF06 STP3NK60Z
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP3NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 60.0 V 600 V
额定电流 3.00 A 50.0 A 2.40 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 3.60 Ω 0.015 Ω 3.6 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 75W (Tc) 30 W 45 W
阈值电压 - 3 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 600 V 60 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 60.0 V 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 50.0 A 2.40 A
上升时间 - 50 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 450pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 311pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 75 W 110 W 45 W
下降时间 - 15 ns 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 75W (Tc) 110W (Tc) 45W (Tc)
额定功率 - 110 W -
通道数 - 1 -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99