对比图
型号 SN7002NH6327XTSA1 SN7002NH6327XTSA2 BSS7728NH6327XTSA1
描述 Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET SN7002NH6327XTSA1, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装SN7002N 系列 60 V 5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号-晶体管 - PG-SOT-23Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS7728NH6327XTSA1, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 360mW (Ta) 0.36 W 360mW (Ta)
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 0.2A 0.2A 0.2A
上升时间 3.2 ns 3.2 ns 2.7 ns
输入电容(Ciss) 45pF @25V(Vds) 45pF @25V(Vds) 37pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 360 mW 360 mW -
下降时间 3.6 ns 3.6 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360mW (Ta) 360mW (Ta) 360mW (Ta)
额定功率 - 0.36 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 2.5 Ω -
阈值电压 - 1.4 V -
长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 1 mm 1.1 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -