对比图
型号 IPB60R600CP SPD07N60C3 SPB07N60S5
描述 INFINEON IPB60R600CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.54 Ω 0.54 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 60 W 83 W -
阈值电压 3 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 6.10 A 7.30 A 7.30 A
上升时间 12 ns 3.5 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 550pF @100V(Vds) 790pF @25V(Vds) 970pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W - 83 W
下降时间 17 ns 7 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
额定电压(DC) - 650 V 600 V
额定电流 - 7.30 A 7.30 A
额定功率 - 83 W -
漏源击穿电压 - 600 V -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 83 W -
输入电容 - - 970 pF
栅电荷 - - 35.0 nC
长度 10 mm 6.5 mm 10 mm
宽度 9.45 mm 6.22 mm 9.25 mm
高度 4.4 mm 2.3 mm 4.4 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Not Recommended Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -