L6386E和L6386ED

对比图

型号 L6386E L6386ED L6386ED013TR

描述 L6386 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - DIP-14STMICROELECTRONICS  L6386ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.1V至17V电源, 650mA输出, 110ns延迟, SOIC-14MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 PDIP-14 SOIC-14 SOIC-14

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 750 mW 0.75 W 0.75 W

上升时间 50 ns 50 ns 50 ns

输出电流(Max) 0.65 A 0.65 A 0.65 A

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 50 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -45 ℃ -45 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

电源电压 17 V 17 VDC 17 V

频率 - 400 kHz 0.4 MHz

电源电压(DC) - 9.10V (min) -

额定功率 - 750 mW -

输出电压 - 580 V -

输出电流 - 400 mA -

通道数 - 2 -

针脚数 - 14 -

电源电压(Max) - 17 V -

电源电压(Min) - 9.1 V -

封装 PDIP-14 SOIC-14 SOIC-14

长度 - 8.75 mm 8.75 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.65 mm 1.65 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16

ECCN代码 - EAR99 EAR99