对比图
型号 FDB8870 STB95N3LLH6 PHB66NQ03LT,118
描述 N沟道MOSFET PowerTrench㈢ ？ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFETN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。MOSFET N-CH 25V 66A SOT404
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 160 A - -
漏源极电阻 0.0039 Ω 0.0037 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 160 W 70 W 93 W
阈值电压 2.5 V 1 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V
漏源击穿电压 30.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 80A -
上升时间 98 ns 91 ns -
输入电容(Ciss) 5200pF @15V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W - 93 W
下降时间 47 ns 23.4 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 160W (Tc) 70W (Tc) 93W (Tc)
高度 4.83 mm 4.6 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.75 mm -
宽度 - 10.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -