对比图
型号 PBSS5350D,115 PBSS5350SS,115 PBSS5350D,135
描述 PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP SemiconductorsPBSS5350D - 50 V，3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 3 -
封装 SC-74-6 SOIC-8 SOT-457
频率 100 MHz - -
极性 PNP NPN+PNP PNP
耗散功率 600 mW - 750 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 3A 2.7A 3A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @2A, 2V 180 @1A, 2V 100 @2A, 2V
最大电流放大倍数(hFE) 200 @500mA, 2V - -
额定功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW
直流电流增益(hFE) 200 - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 750 mW 830 mW 750 mW
高度 1 mm 5.2 mm -
封装 SC-74-6 SOIC-8 SOT-457
长度 - 4.8 mm -
宽度 - 4.2 mm -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
香港进出口证 NLR - -