对比图
型号 IRF730APBF STP7NK40Z FQPF9N50CF
描述 VISHAY IRF730APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 4.5 VSTMICROELECTRONICS STP7NK40Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 400 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF9N50CF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.7 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 400 V 400 V -
额定电流 5.50 A 5.40 A -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1 Ω 1 Ω 0.7 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 74 W 70 W 44 W
阈值电压 4.5 V 3.75 V 4 V
输入电容 600pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 500 V
漏源击穿电压 400 V 400 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 5.50 A 5.40 A 9.00 A
上升时间 22 ns 15 ns 65 ns
下降时间 16 ns 12 ns 64 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
输入电容(Ciss) - 535pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 70 W 44 W
耗散功率(Max) - 70W (Tc) 44W (Tc)
额定功率 - 70 W -
长度 10.51 mm - 10.36 mm
宽度 4.7 mm - 4.9 mm
高度 15.49 mm - 16.07 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 - Active Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99