对比图
型号 BSC0902NSIATMA1 FDMS7670AS FDMS8025S
描述 INFINEON BSC0902NSIATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7670AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1.6 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8025S 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TDSON-8 Power-56 Power-56-8
通道数 - - 1
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0023 Ω 0.0024 Ω 0.0022 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 48 W 65 W 50 W
阈值电压 2 V 1.6 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30 V
连续漏极电流(Ids) 23A 22A 24A
输入电容(Ciss) 1500pF @15V(Vds) 4225pF @15V(Vds) 3000pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta), 65W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
上升时间 5.4 ns 6 ns -
下降时间 3.8 ns 5 ns -
额定功率 48 W - -
长度 5.9 mm 5 mm 5 mm
宽度 5.15 mm 6 mm 6 mm
高度 1.27 mm 1.05 mm 1.05 mm
封装 TDSON-8 Power-56 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15