对比图
型号 MJD45H11TF MJD45H11TM MJD45H11T4
描述 Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MJD45H11TM 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 1.75 W, -8 A, 40 hFESTMICROELECTRONICS MJD45H11T4 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 20 W, -8 A, 40 hFE
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
频率 40 MHz 40 MHz -
额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V
额定电流 -8.00 A -8.00 A -8.00 A
针脚数 3 3 3
极性 PNP NPN PNP
耗散功率 20 W 1.75 W 20 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 8A 8A -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V
额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 20 W
直流电流增益(hFE) 60 40 40
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 20 W 1750 mW 20000 mW
增益频宽积 - 40 MHz -
最大电流放大倍数(hFE) - 60 -
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.1 mm 6.1 mm 6.2 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99