MUN5314DW1T1和MUN5314DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5314DW1T1 MUN5314DW1T1G EMD9T2R

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsON SEMICONDUCTOR  MUN5314DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-363ROHM  EMD9T2R  双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, EMT

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 SC-88-6 SC-70-6 EMT-6

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 70.0 mA

额定功率 - - 0.15 W

通道数 2 - 2

极性 NPN+PNP NPN, PNP NPN, PNP

耗散功率 187 mW 187 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 80 @5mA, 10V 68 @5mA, 5V

额定功率(Max) - 250 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) - - 68

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 - - 250 MHz

耗散功率(Max) - 385 mW 150 mW

最大电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V - -

长度 2 mm 2 mm 1.6 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.2 mm

高度 0.9 mm 0.9 mm 0.5 mm

封装 SC-88-6 SC-70-6 EMT-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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