对比图
型号 BUK753R1-40E SUP90N04-3M3P-GE3 CSD18502KCS
描述 NXP BUK753R1-40E 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3 VVISHAY SUP90N04-3M3P-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1 V40V，N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220 TO-220-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 0.0026 Ω 0.0027 Ω 0.0024 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 234 W 125 W 216 W
阈值电压 3 V 1 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 - - 40 V
连续漏极电流(Ids) 100A - 100A
上升时间 - 7 ns 7.3 ns
输入电容(Ciss) - 5286pF @20V(Vds) 4680pF @20V(Vds)
额定功率(Max) - - 216 W
下降时间 - 7 ns 9.3 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 125 W 259W (Tc)
针脚数 3 3 -
长度 - 10.51 mm 10.67 mm
宽度 - 4.65 mm 4.7 mm
高度 - 15.49 mm 16.51 mm
封装 TO-220 TO-220 TO-220-3
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown - 正在供货
包装方式 - - Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -