对比图
型号 FQA38N30 STD18N55M5 STW75NF30
描述 300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW75NF30 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 300 V, 37 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-247-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 300 V - -
额定电流 38.4 A - -
漏源极电阻 85.0 mΩ 0.18 Ω 0.037 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 290 W 90 W 320 W
漏源极电压(Vds) 300 V 550 V 300 V
漏源击穿电压 300 V 550 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 38.4 A 16A 30.0 A
上升时间 430 ns 9.5 ns 87 ns
输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 5930pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 290 W 90 W 320 W
下降时间 190 ns 13 ns 101 ns
耗散功率(Max) 290W (Tc) 110W (Tc) 320W (Tc)
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 4 V 3 V
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-247-3
长度 - 6.6 mm 15.75 mm
宽度 - 6.2 mm 5.15 mm
高度 - 2.4 mm 20.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -