对比图
型号 SSP6N70A STP7NK80Z STP9NK70Z
描述 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP9NK70Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 800 V 700 V
额定电流 - 5.20 A 7.50 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 1.8 Ω 1 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 125 W 115 W
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 700 V 800 V 700 V
漏源击穿电压 - 800 V 700 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 6A 5.20 A 4.00 A
上升时间 - 12 ns 17 ns
输入电容(Ciss) - 1138pF @25V(Vds) 1370pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 125 W 115 W
下降时间 - 20 ns 13 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 125000 mW 115W (Tc)
额定功率 - 125 W -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 16.4 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -