IRF1404SPBF和STB120N4LF6

对比图

型号 IRF1404SPBF STB120N4LF6 STB200NF04T4

描述 N沟道,40V,162A,4mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STB120N4LF6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 3100 µohm, 10 V, 1 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 162 A - 120 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 110 W 310000 mW

产品系列 IRF1404S - -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 40.0 V - 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 162 A 80A 120 A

上升时间 140 ns 95 ns 320 ns

输入电容(Ciss) 7360pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 110 W 310 W

下降时间 26 ns 45 ns 120 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8 W 110W (Tc) 310000 mW

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0031 Ω 3.70 mΩ

阈值电压 - 1 V -

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 9.35 mm

高度 - - 4.6 mm

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)