对比图
型号 SI4425BDY-T1-E3 SI4427BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-GE3
描述 VISHAY SI4425BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -400 mVVISHAY SI4427BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -9.7 A, -30 V, 0.0088 ohm, -10 V, -1.4 VVISHAY SI4425BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.01 Ω 0.0088 Ω 19 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 1.5 W 1.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) -30.0 V -30.0 V -30.0 V
连续漏极电流(Ids) -11.4 A -12.6 A -11.4 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
上升时间 13 ns 15 ns -
下降时间 53 ns 110 ns -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 1500 mW -
封装 SOIC-8 SOIC SOIC
长度 5 mm - -
宽度 3.9 mm - -
高度 1.55 mm 1.55 mm -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -