对比图
型号 STP10NK60ZFP STP4NK60ZFP FQPF12N60T
描述 STMICROELECTRONICS STP10NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STP4NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 35 W 25 W -
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.65 Ω 2 Ω 700 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 35 W 25 W 55 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 4.00 A 5.80 A
上升时间 20 ns 9.5 ns 115 ns
输入电容(Ciss) 1370pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 35 W 25 W 55 W
下降时间 30 ns 16.5 ns 85 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 35W (Tc) 25000 mW 55W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 10.0 A - 10.5 A
输入电容 1370 pF - 1.90 nF
漏源击穿电压 600 V - 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
栅电荷 - - 54.0 nC
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.3 mm 9.3 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99