对比图
型号 MTW32N20E MTW32N20EG STW34NB20
描述 200V,32A,N沟道功率MOSFET功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247N - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 32.0 A 32.0 A 34.0 A
漏源极电阻 0.075 Ω 0.075 Ω 75.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180 W 180 W 180W (Tc)
输入电容 3600pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 32.0 A 34.0 A
上升时间 120 ns 120 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds) 3300pF @25V(Vds)
下降时间 91 ns 91 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 180W (Tc) 180W (Tc) 180W (Tc)
通道数 - 1 1
阈值电压 - 4 V -
额定功率(Max) - 180 W 180 W
额定功率 - - 180 W
长度 16.26 mm - -
宽度 5.3 mm 5.3 mm 5.15 mm
高度 21.08 mm - -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -