IPD068P03L3GATMA1和IPD068P03L3GBTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GBTMA1 IPD082N10N3GBTMA1

描述 INFINEON  IPD068P03L3GATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 VINFINEON  IPD068P03L3GBTMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V 新DPAK N-CH 100V 80A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 100 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.005 Ω 0.005 Ω 7 mΩ

极性 P-Channel P-Channel N-CH

耗散功率 100 W 100 W 125 W

阈值电压 1.5 V 1.5 V 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 70A 80A

上升时间 100 ns 100 ns 42 ns

输入电容(Ciss) 7720pF @15V(Vds) 7720pF @15V(Vds) 3980pF @50V(Vds)

下降时间 31 ns 31 ns 8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 100W (Tc) 100W (Tc) 125W (Tc)

通道数 1 - 1

漏源击穿电压 30 V - 100 V

长度 6.5 mm 6.5 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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