对比图
型号 JAN2N6211 JANTX2N6211 2N6211
描述 PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-66 TO-213 TO-66-2
极性 PNP PNP -
耗散功率 3 W 3000 mW 3 W
击穿电压(集电极-发射极) 225 V 225 V -
集电极最大允许电流 2A 2A -
最小电流放大倍数(hFE) 30 @1A, 5V 30 @1A, 5V -
额定功率(Max) 3 W 3 W -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3000 mW 3000 mW 3000 mW
封装 TO-66 TO-213 TO-66-2
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -