对比图
型号 SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-GE3 IRLML0060TRPBF
描述 VISHAY SI2308BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 1 VVISHAY SI2308BDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IRLML0060TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23 TO-236 SOT-23-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.13 Ω 0.13 Ω 0.078 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.66 W 1.09 W 1.25 W
阈值电压 1 V 3 V 2.5 V
输入电容 190pF @30V 190pF @30V 290 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - 2.30 A 2.7A
上升时间 16 ns 16 ns 6.3 ns
输入电容(Ciss) - 190pF @30V(Vds) 290pF @25V(Vds)
下降时间 17 ns 11 ns 4.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1.09 W 1.25W (Ta)
漏源击穿电压 60 V - -
热阻 115℃/W (RθJA) - -
额定功率 - - 1.25 W
额定功率(Max) - - 1.25 W
长度 3.04 mm 3.04 mm 3.04 mm
宽度 - 1.4 mm 1.4 mm
高度 1.02 mm 1.02 mm 1.02 mm
封装 SOT-23 TO-236 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 - - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -