BC847BPDW1T1G和BC847S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847BPDW1T1G BC847S BC847BPN

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC847BPDW1T1G.  晶体管 双极-射频, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 100 hFEBC847S NPN+NPN复合三极管 50V 100mA HEF=200~630 SOT-363 标记1C 用于开关/数字电路NXP  BC847BPN  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SC-88

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 6 - 6

封装 SC-70-6 SOT-363 SC-88

频率 100 MHz - -

额定电压(DC) 45.0 V - -

额定电流 1.00 A - -

额定功率 0.38 W 0.3 W -

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电压 ≤5.00 V - -

针脚数 3 - 6

极性 NPN, PNP - N-Channel, P-Channel, NPN, PNP

耗散功率 380 mW - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.1A - -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 380 mW - -

直流电流增益(hFE) 100 - 200

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 380 mW - 300 mW

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.9 mm - -

封装 SC-70-6 SOT-363 SC-88

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active End of Life Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 - NLR -

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