对比图
型号 FQPF4N60 STD3NK60ZT4 SPA04N80C3
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STD3NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 VINFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 800 V
额定电流 2.60 A 2.40 A 4.00 A
额定功率 - - 38 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 2.2 Ω 3.3 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 36 W 45 W 38 W
阈值电压 - 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 2.60 A 2.40 A 4.00 A
上升时间 45 ns 14 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 670pF @25V(Vds) 311pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 36 W 45 W 38 W
下降时间 35 ns 14 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 36W (Tc) 45W (Tc) 38W (Tc)
漏源击穿电压 600 V 600 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
通道数 1 - -
长度 10.67 mm 6.6 mm 10.65 mm
宽度 4.7 mm 6.2 mm 4.85 mm
高度 16.3 mm 2.4 mm 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99