对比图
型号 STD100NH03LT4 STD6N95K5 STD15NF10T4
描述 N沟道30V - 0.005ohm - 60A - DPAK封装的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - DPAK STripFET TM III Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 30.0 V - 100 V
额定电流 60.0 A - 23.0 A
漏源极电阻 5.00 mΩ 1 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 100W (Tc) 90 W 70 W
漏源极电压(Vds) 30 V 950 V 100 V
漏源击穿电压 30.0 V - 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 60.0 A 9A 23.0 A
输入电容(Ciss) 4100pF @15V(Vds) 450pF @100V(Vds) 870pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 100W (Tc) 90W (Tc) 70W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 4 V 3 V
上升时间 - 12 ns 45 ns
额定功率(Max) - 90 W 70 W
下降时间 - 21 ns 17 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
输入电容 - 450 pF -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 - - 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99