对比图
型号 FQU11P06 FQU17P06TU FQU11P06TU
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU11P06 晶体管, MOSFET, P沟道, 9.4 A, -60 V, 185 mohm, -10 V, -4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU17P06TU 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU11P06TU 晶体管, P沟道
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-251 TO-251-3 TO-251-3
电源电压(DC) - 37.0V (max) -
额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V
额定电流 - -12.0 A -9.40 A
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.185 Ω 135 mΩ 185 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 38 W 44 W 38 W
输入电容 - 690 pF -
栅电荷 - 21.0 nC -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - 60 V -
栅源击穿电压 - ±25.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.40 A -12.0 A -9.40 A
上升时间 40.0 ns 100 ns -
输入电容(Ciss) - 900pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W
下降时间 - 60 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW 2.5W (Ta), 38W (Tc)
长度 - 6.8 mm 6.6 mm
宽度 - 2.5 mm 2.3 mm
高度 - 6.1 mm 6.1 mm
封装 TO-251 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99