对比图
型号 STP20NM60 TK20E60U FCP11N60
描述 STMICROELECTRONICS STP20NM60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 30 V, 4 VTOSHIBA TK20E60U 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 320 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 290 mΩ 0.19 Ω 320 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 192 W 190 W 125 W
阈值电压 4 V 3 V 5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20A 11.0 A
上升时间 20 ns 40 ns 98 ns
下降时间 11 ns 12 ns 56 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定电压(DC) 650 V - 600 V
额定电流 20.0 A - 11.0 A
输入电容 - - 1.15 nF
栅电荷 - - 40.0 nC
漏源击穿电压 600 V - 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
输入电容(Ciss) 1500pF @25V(Vds) - 1490pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 192 W - 125 W
工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 192W (Tc) - 125 W
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
长度 10.4 mm - 10.1 mm
宽度 4.6 mm - 4.7 mm
高度 9.15 mm - 9.4 mm
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
香港进出口证 - NLR -
ECCN代码 - - EAR99