对比图
型号 STW55NM60ND STW56N60DM2 STW34NM60ND
描述 STMICROELECTRONICS STW55NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 51 A, 600 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW56N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 50 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V 新N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 0.047 Ω 0.052 Ω 0.097 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 350 W 360 W 190 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - - 600 V
连续漏极电流(Ids) - 50A 29A
上升时间 68 ns 60 ns 53.4 ns
输入电容(Ciss) 5800pF @50V(Vds) 4100pF @100V(Vds) 2785pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 350 W - 210 W
下降时间 96 ns 12 ns 61.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350W (Tc) 360W (Tc) 190W (Tc)
针脚数 3 3 -
长度 15.75 mm 15.75 mm 15.75 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.15 mm
高度 20.15 mm 20.15 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
香港进出口证 - - NLR
ECCN代码 EAR99 - -