对比图
型号 FCPF11N60 STF13NM60N STF15N65M5
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 5 VN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 0.32 Ω 360 mΩ 0.308 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 36 W 25 W 25 W
输入电容 1.15 nF 790 pF -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V
漏源击穿电压 650 V 600 V -
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 5.50 A 11A
上升时间 98 ns 8 ns -
输入电容(Ciss) 1490pF @25V(Vds) 790pF @50V(Vds) 816pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 36 W 25 W 25 W
下降时间 56 ns 10 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 36W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 11.0 A - -
针脚数 3 - 3
阈值电压 5 V - 4 V
栅电荷 40.0 nC - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
长度 10.16 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.19 mm 16.4 mm 16.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Rail Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
香港进出口证 - NLR -
ECCN代码 EAR99 - EAR99