对比图
型号 BC856BDW1T3G SBC856BDW1T1G BC856BDW1T1G
描述 PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管ON SEMICONDUCTOR SBC856BDW1T1G 双极晶体管阵列, 双PNP, -65 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363 新ON SEMICONDUCTOR BC856BDW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz
额定电压(DC) -65.0 V - -65.0 V
额定电流 -100 mA - -100 mA
针脚数 - 6 6
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 380 mW 380 mW 380 mW
击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) 380 mW 380 mW 380 mW
直流电流增益(hFE) - 150 220
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 380 mW 380 mW 380 mW
最大电流放大倍数(hFE) 475 475 -
长度 2.08 mm - 2 mm
宽度 1.25 mm - 1.25 mm
高度 0.95 mm - 0.9 mm
封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99