CSD16342Q5A和CSD16404Q5A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD16342Q5A CSD16404Q5A CSD16327Q3

描述 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET...N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETTEXAS INSTRUMENTS  CSD16327Q3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 25 V, 0.0034 ohm, 8 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSON-FET-8 VSON-FET-8 PowerTDFN-8

通道数 1 1 -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0038 Ω 0.0041 Ω 0.0034 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3 W 3 W 3 W

阈值电压 850 mV 1.8 V 1.2 V

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 21A 81.0 A 21A

上升时间 16.6 ns 13.4 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 1350pF @12.5V(Vds) 1220pF @12.5V(Vds) 1300pF @12.5V(Vds)

额定功率(Max) 3 W 3 W 3 W

下降时间 3.1 ns 4.6 ns 6.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta)

漏源击穿电压 25 V - -

宽度 5 mm 4.9 mm 3.4 mm

高度 1.1 mm 1 mm 1.1 mm

封装 VSON-FET-8 VSON-FET-8 PowerTDFN-8

长度 5.8 mm - 3.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

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