对比图
型号 STB12NM50FDT4 STP55NF06 STD15NF10T4
描述 N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODEMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3
额定电压(DC) 500 V 60.0 V 100 V
额定电流 12.0 A 50.0 A 23.0 A
额定功率 - 110 W -
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 400 mΩ 0.015 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160W (Tc) 30 W 70 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 60 V 100 V
漏源击穿电压 500 V 60.0 V 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 50.0 A 23.0 A
上升时间 10.0 ns 50 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 1000pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 110 W 70 W
下降时间 - 15 ns 17 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 110W (Tc) 70W (Tc)
输入电容 1.00 nF - -
栅电荷 12.0 nC - -
长度 - 10.4 mm 6.6 mm
宽度 - 4.6 mm 6.2 mm
高度 - 9.15 mm 2.4 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99