FDH27N50和SPA04N80C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDH27N50 SPA04N80C3 STD15NF10T4

描述 27A , 500V , 0.19 Ohm的N通道开关电源功率MOSFET 27A, 500V, 0.19 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFETINFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-252-3

额定电压(DC) 500 V 800 V 100 V

额定电流 27.0 A 4.00 A 23.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 190 mΩ 1.1 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 450 W 38 W 70 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 500 V 800 V 100 V

漏源击穿电压 500 V - 100 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 27.0 A 4.00 A 23.0 A

上升时间 54 ns 15 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 3550pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 450 W 38 W 70 W

下降时间 54 ns 12 ns 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 450W (Tc) 38W (Tc) 70W (Tc)

额定功率 - 38 W -

输入电容 3.55 nF - -

栅电荷 56.0 nC - -

长度 15.87 mm 10.65 mm 6.6 mm

宽度 4.82 mm 4.85 mm 6.2 mm

高度 20.82 mm 16.15 mm 2.4 mm

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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